时间：2025/5/26 16:24:43
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VESD05A1C-HD1 是一款基于硅技术的高性能 TVS (瞬态抑制二极管) 芯片，专为电路保护设计。它能够在电路中承受高能量的瞬态过电压，并快速将电压钳位到安全水平，从而保护敏感的电子元件免受静电放电（ESD）、雷击浪涌和其他瞬态电压事件的影响。
VESD05A1C-HD1 的单向结构使其非常适合于直流电源线、信号线和数据接口等应用。此外，其紧凑的封装形式使得该器件在空间受限的设计中具有优势。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：29.1A
最大反向工作电压：5.8V
击穿电压：6V
箝位电压：14.3V
结电容：7pF
响应时间：1ps
漏电流：1uA
封装形式：SOD-323
VESD05A1C-HD1 提供了卓越的 ESD 和浪涌保护性能，具备以下特点：
1. 高度可靠的瞬态电压抑制能力，能有效应对高达 29.1A 的峰值脉冲电流。
2. 极低的电容值（7pF），对高速信号的影响较小，适合用于高频数据线路。
3. 快速响应时间（1ps），能够及时抑制瞬态电压威胁。
4. 工作电压精准（5V），适用于标准的 5V 系统环境。
5. 小型化 SOD-323 封装，便于在高密度 PCB 布局中使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
VESD05A1C-HD1 广泛应用于各种需要保护的电子设备和系统中，包括但不限于：
1. USB 接口保护。
2. HDMI、DisplayPort 等高速数据接口的 ESD 保护。
3. 手机、平板电脑及其他便携式设备中的电源和信号线保护。
4. 工业自动化设备中的控制信号线保护。
5. 汽车电子系统中的 CAN 总线保护。
6. 网络通信设备中的以太网端口保护。
PESD5V0R1B, SM712, SMAJ5.0A
