时间：2025/12/25 11:31:37
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VDZT2R6.2B是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的表面贴装齐纳二极管，采用小型SOD-123FL封装。该器件专为低功率稳压和电压参考应用设计，具有精确的齐纳电压和良好的温度稳定性，适用于便携式电子设备、消费类电子产品以及需要紧凑型电压保护方案的电路中。其标称齐纳电压为6.2V，属于中等电压范围的齐纳二极管，这一电压值在所有齐纳电压中具有最小的温度系数，因此特别适合对温度稳定性要求较高的精密应用。VDZT2R6.2B通过严格的生产控制确保了电压容差的精度，通常其电压偏差在±5%以内，部分批次甚至可达到更高精度。该器件能够在最大功率耗散为200mW的情况下稳定工作，正向电流最大可达200mA，具备良好的热性能和可靠性。由于采用SOD-123FL超小型封装，VDZT2R6.2B非常适合高密度PCB布局，有助于减小整体电路尺寸，广泛用于现代小型化电子产品中。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-123FL
齐纳电压（Vz）：6.2V @ 测试电流（Izt）= 5mA
电压容差：±5%
最大功率耗散（Ptot）：200mW
最大正向电流（If）：200mA
反向漏电流（Ir）：≤ 1μA @ VR = 4V
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
热阻（Rth(j-a)）：625°C/W（标准FR-4板）
VDZT2R6.2B齐纳二极管的一个显著特性是其6.2V的齐纳电压恰好位于硅材料齐纳二极管温度系数最低的点附近。在大约5.6V至6.2V之间的齐纳电压范围内，器件的温度系数接近于零，这意味着其电压随温度的变化极小，从而提供出色的电压稳定性。这一特性使得VDZT2R6.2B在环境温度波动较大的应用场景中表现出色，例如工业传感器、电源监控电路或精密模拟前端。此外，该器件采用先进的芯片制造工艺，确保了齐纳击穿机制的均匀性和重复性，提高了长期使用的可靠性。
该器件的SOD-123FL封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm），还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内有效传导热量。封装材料符合RoHS环保标准，并支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色电子制造的需求。其引脚结构设计优化了焊接可靠性和机械强度，降低了因热应力导致的失效风险。
电气方面，VDZT2R6.2B具有较低的动态阻抗（Zzt），通常在测试条件下小于20Ω，这表示其在负载变化时能维持稳定的输出电压，具备较强的电压调节能力。同时，其反向漏电流非常低，在未达到击穿电压前几乎不导通，有效防止了不必要的功耗。这些特性使其不仅可用于简单的过压保护，还可作为基准电压源或电平移位电路中的关键元件。此外，该器件经过老化筛选和高温反向偏压（HIRB）测试，确保在各种工作条件下均能保持性能稳定。
VDZT2R6.2B广泛应用于需要稳定参考电压或低压稳压功能的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于为内部模拟电路提供精确的电压参考。在消费类电子产品如机顶盒、路由器和智能家居控制器中，它常被用于接口电平转换、信号钳位或ESD保护辅助电路。
在工业控制领域，该器件可用于传感器信号调理电路，为运算放大器或ADC提供稳定的偏置电压。由于其优异的温度稳定性，VDZT2R6.2B也适用于汽车电子系统中的非动力总成模块，例如车身控制模块、仪表盘显示或车载信息娱乐系统，在这些环境中需应对宽温变化和电磁干扰。
此外，该齐纳二极管还可用于开关电源的反馈回路中，作为电压检测元件与光耦配合实现输出电压的闭环控制。在电池供电系统中，它可以构成简单的低压检测电路，当电池电压下降至设定阈值时触发报警或关机逻辑。由于其小封装和高可靠性，VDZT2R6.2B也成为自动化测试设备（ATE）、医疗电子设备和通信模块中常用的被动稳压解决方案之一。
MMSZ5237B
DFZ6.2B
