类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：6.8V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大功率耗散：500mW
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：35Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOD-123

VDZ6.8B作为一款典型的6.8V齐纳二极管，具备优异的电压稳定性和温度特性，能够在较宽的电流范围内提供精确且可重复的稳压性能。其核心特性之一是具有较低的动态阻抗（Zzt），通常在35Ω以下，这意味着当通过器件的电流发生变化时，输出电压的变化非常小，从而确保了良好的稳压效果。这种低阻抗特性使其特别适合用作电压参考源，尤其是在需要高精度电压基准的模拟电路中，如运算放大器偏置、ADC/DAC参考点或传感器信号调理电路。此外，该器件在额定电流下的电压温漂表现良好，温度系数接近于零，这是因为在6V至7V范围内的齐纳二极管通常结合了齐纳击穿和雪崩击穿机制，二者温度系数相互抵消，从而实现更稳定的电压输出。
　　VDZ6.8B采用SOD-123小型表面贴装封装，具有优良的散热性能和机械强度，适用于自动化贴片生产工艺，提升了生产效率和产品一致性。其最大功耗为500mW，在适当的散热条件下可支持较高的连续工作电流，典型工作电流范围为1mA至40mA，确保器件在安全工作区内运行。该二极管还具备较强的瞬态过压承受能力，可用于简单的过压保护电路中，防止敏感元件因电压突变而损坏。由于其响应速度快，反向击穿过程几乎无延迟，因此在瞬态电压抑制方面表现出色。此外，VDZ6.8B具有良好的长期稳定性和可靠性，经过老化筛选后可在工业级温度范围（-55°C至+150°C）内稳定工作，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等多种严苛环境下的应用。制造工艺上，该器件通常采用扩散或离子注入技术形成PN结，确保电压精度和批次一致性。

VDZ6.8B广泛应用于各种需要稳定参考电压或进行电压钳位的电子电路中。常见应用场景包括低压直流电源的稳压输出，例如在非稳压电源后级添加该齐纳二极管以提供稳定的6.8V参考电压供其他电路使用。它也常被用于运算放大器的偏置电路中，为输入级提供精确的工作点电压。在信号处理电路中，VDZ6.8B可用于限制信号幅度，防止后续电路因过高的输入电压而损坏，起到电平钳位的作用。此外，在微控制器或逻辑电路的I/O保护设计中，该器件可与限流电阻配合使用，构成简易的过压保护网络，将输入电压限制在安全范围内。在电池供电设备中，它可以作为电压监测节点的基准源，配合比较器实现欠压或过压报警功能。在一些低成本电源适配器或充电器中，VDZ6.8B也被用作反馈回路的电压采样元件，连接到光耦一侧以实现隔离式稳压控制。由于其封装小巧、成本低廉且性能可靠，该器件在消费类电子产品如智能手机、路由器、智能家居设备中也有广泛应用。同时，在工业传感器模块中，VDZ6.8B可为传感器供电或提供校准基准，确保测量精度。