时间：2025/6/17 12:44:52
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VD2231HW12U 是一款高性能、低功耗的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有极低的导通电阻和快速的开关速度。
VD2231HW12U 的封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺，能够在高温环境下稳定工作。它主要用作N沟道增强型场效应晶体管，适用于各种需要高效能和高可靠性的电子电路。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：29A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：7nC
反向恢复时间：30ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻，显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
3. 高雪崩能力，增强器件4. 小型化封装设计，便于PCB布局及优化散热性能。
5. 具备优异的热稳定性，适合高功率密度应用。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率级元件。
3. 电机驱动中的桥臂开关。
4. 电池保护电路与负载切换。
5. 各种工业控制及汽车电子系统的功率管理模块。
IRFZ44N
STP290N6LLH5
FDP5500
AO3400
