VC080530C650 是一款高性能的陶瓷片式电容器,广泛应用于高频滤波、耦合和旁路电路中。该型号属于 C0G(NP0)介质类型,具有极佳的温度稳定性和低损耗特性,适用于对稳定性要求较高的场景。
该元器件采用多层陶瓷技术制造,具备较小的体积和较高的可靠性,能够在广泛的频率范围内提供稳定的性能。
容量:650pF
额定电压:50V
公差:±5%
介质材料:C0G (NP0)
封装尺寸:0805
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
ESR:≤0.05Ω
频率特性:适用于高达 GHz 的高频应用
VC080530C650 具有以下显著特点:
1. 高稳定性:由于采用了 C0G 介质,其容量在不同温度和电压下保持高度一致,变化率小于 ±30ppm/℃。
2. 小型化设计:0805 封装使得该电容非常适合空间有限的应用环境。
3. 低等效串联电阻(ESR):确保高效的信号传输和较低的能量损失。
4. 宽温度范围适应性:能够承受极端的工作条件,适合工业及军事领域使用。
5. 可靠性高:通过了多项国际标准测试,例如 MIL-STD-202 和 IEC 60384 等,保证长期使用的稳定性。
这款电容器主要应用于需要高精度和高稳定性的电子设备中,包括但不限于:
1. 高频通信系统中的滤波和匹配网络。
2. RF 模块中的信号耦合与解耦。
3. 微波电路设计中的阻抗调整。
4. 工业控制设备中的电源去耦。
5. 医疗仪器中的精密信号处理电路。
此外,它也常被用作时钟振荡器电路中的负载电容,以实现精准的频率控制。
VC080530B651, Kemet C0805C650J5GAC, Panasonic ECJ-B3HC650V