时间：2025/6/11 18:36:05
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VBUS05M2-HT1-G4-08是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率开关器件，专为高频率、高效率的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于USB PD快充适配器、AC-DC转换器以及其他高频功率变换电路。其封装形式紧凑，能够有效节省PCB空间并简化系统设计。
型号：VBUS05M2-HT1-G4-08
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
耐压：650V
导通电阻：5mΩ（典型值）
栅极驱动电压范围：3.3V~15V
工作温度范围：-40℃~+125℃
封装形式：DFN8x8
最大漏极电流：20A
开关频率：高达数MHz
VBUS05M2-HT1-G4-08具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低导电损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，有助于减小无源元件尺寸。
3. 高可靠性设计，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
4. 内置ESD保护功能，增强了器件在实际应用中的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的绿色要求。
6. 封装紧凑，易于焊接与集成，降低了PCB布局复杂度。
该芯片广泛 USB Power Delivery（PD）快充适配器。
2. 高效AC-DC转换器。
3. LED驱动电源。
4. 工业级电源模块。
5. 消费类电子设备中的小型化电源解决方案。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
VBUS05M2-HT1-G4-07
VBUS05M2-HT1-G5-08
IRF9540
SCT2435KG
