类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：72A（@ TC=100°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 7.5mΩ（@ VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V（@ ID=250μA）
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装

VBO72-14N07 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该 MOSFET 在高电流下仍能保持良好的导通性能，适用于高负载应用。其先进的封装技术提供了良好的热管理，有助于在高功率应用中保持稳定的工作温度。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。VBO72-14N07 还具备良好的栅极电荷特性，使得开关速度更快，从而进一步降低开关损耗。该器件还具有出色的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
　　在电气性能方面，VBO72-14N07 的漏源击穿电压为 100V，漏极电流在 100°C 时可达 72A，适用于需要高电流能力的功率转换应用。栅极阈值电压范围为 2.1V 至 4.0V，确保了与常见的逻辑电平驱动电路兼容。此外，该 MOSFET 具有较低的输入电容（CISS）和反向传输电容（CRSS），有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。在封装方面，TO-263（D2PAK）封装提供了良好的散热性能，适合表面贴装工艺，简化了 PCB 设计和制造过程。

VBO72-14N07 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、负载开关、逆变器以及各种工业和汽车电子设备。在电源管理领域，该器件可用于高效率的开关电源（SMPS）设计，如降压（Buck）、升压（Boost）和反相（Flyback）转换器。在电机控制应用中，VBO72-14N07 可用于 H 桥电路中，实现对直流电机的高效控制。由于其高电流能力和良好的热性能，该 MOSFET 也非常适合用于电池管理系统中的高边或低边开关。在汽车电子方面，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等关键应用。此外，在可再生能源系统如太阳能逆变器中，VBO72-14N07 可用于实现高效的能量转换。

Si7414DP, IRF1404, FDP7414, AUIRF1404S, FDMS7614