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VBO45-18NO7 发布时间 时间:2025/8/5 20:46:06 查看 阅读:19

VBO45-18NO7 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高功率电子设备。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,适用于需要高效功率转换的应用。

参数

集电极-发射极电压(Vce):1800V
  集电极电流(Ic):45A
  功率耗散:300W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:模块封装
  极性:N沟道

特性

VBO45-18NO7 模块具有优异的热稳定性和电气性能,其主要特点包括低导通压降、高可靠性和耐用性。该模块采用先进的封装技术,提供了良好的散热性能,从而提高了模块在高负载条件下的工作效率。
  此外,该IGBT模块具备短路耐受能力和过载保护功能,使其在恶劣的工作环境下也能保持稳定运行。模块的设计还优化了电磁干扰(EMI)性能,确保设备运行时不会对周围电子设备造成干扰。
  VBO45-18NO7 还具有快速开关特性,能够在高频条件下工作,适用于需要快速切换的功率转换系统。其栅极驱动要求较低,可以与多种驱动电路兼容,简化了电路设计。

应用

该模块广泛应用于工业自动化设备、电力变换器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电焊机等高功率电子系统中。由于其优异的性能和可靠性,VBO45-18NO7 也常用于电动汽车充电设备和智能电网相关设备中。

替代型号

VBO45-18NO7G、VBO45-18NOPB、VBO45-18NOC

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VBO45-18NO7参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭桥式整流器
  • 系列-
  • 电压 - 峰值反向(最大)1800V
  • 电流 - DC 正向(If)45A
  • 二极管类型单相
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳FO-T-A
  • 包装散装
  • 供应商设备封装FO-T-A