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VBO19-16DT1 发布时间 时间:2025/8/5 19:07:52 查看 阅读:30

VBO19-16DT1是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高频率的开关应用。这款器件由Vishay Siliconix制造,具有优异的导通和关断性能,适用于各种工业和汽车电子系统。VBO19-16DT1采用先进的硅技术,提供高效率、低导通电阻和良好的热性能,使其在苛刻的环境中也能稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):1900V
  最大漏极电流(ID):16A
  导通电阻(RDS(on)):通常为1.35Ω
  封装类型:TO-247
  最大工作温度:150°C
  热阻(RθJC):典型值为40°C/W

特性

VBO19-16DT1具备多个关键特性,使其在高性能应用中表现出色。首先,其高击穿电压(1900V)使其适用于高压电源和工业控制电路。其次,低导通电阻确保了在高电流条件下具有较小的功率损耗,提高了整体系统效率。此外,该器件具有出色的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长时间运行而不会导致性能下降。VBO19-16DT1的封装设计(TO-247)有助于有效散热,同时方便安装在标准的散热器上。其快速开关特性也使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。

应用

VBO19-16DT1广泛应用于高功率和高电压的电子系统中,例如工业电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器和电动汽车充电设备。此外,它也适用于需要高可靠性和高效能的消费类电子产品,如高性能电源适配器和LED照明系统。由于其出色的电气性能和热管理能力,VBO19-16DT1能够在各种恶劣环境下稳定运行,满足严苛的应用需求。

替代型号

VBO19-16DT1的替代型号包括Vishay的VBO19-16D1和VBO19-16D1R。此外,IXYS的IXFH16N190和STMicroelectronics的STW16NK190Z也可作为替代选项,但需要根据具体应用进行适当的电路调整和验证。

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