VBO125-16N07 是一款由Vishay公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效率、高功率的应用场景。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,具有低导通电阻和卓越的热性能,适用于需要高效功率管理的设备。其主要特点是高电流容量和耐压能力,适合在高功率密度和紧凑型设计中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):125A
最大漏-源电压(VDS):160V
导通电阻(RDS(on)):7mΩ
封装类型:TO-263(D2PAK)
工作温度范围:-55°C至175°C
VBO125-16N07 MOSFET的特性包括低导通电阻,能够显著减少导通损耗,从而提高系统的整体效率。此外,其高耐压能力(160V)使其适用于需要高电压操作的应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,确保了卓越的热管理和可靠性。TO-263(D2PAK)封装形式提供了良好的散热性能,同时支持表面贴装工艺,适用于自动化生产流程。
该器件还具有高电流承载能力,能够在高负载条件下保持稳定性能。此外,VBO125-16N07的工作温度范围较宽,从-55°C到175°C,适用于各种恶劣的工作环境。其高可靠性和长寿命使其成为工业和汽车应用的理想选择。
VBO125-16N07 MOSFET广泛应用于需要高效功率管理的领域。典型的应用包括电源转换器(如DC-DC转换器和AC-DC电源)、电动车辆的电池管理系统、工业电机驱动器以及太阳能逆变器等。由于其高电流能力和低导通电阻,这款MOSFET特别适合用于需要高功率密度和高效率的系统中。此外,它还常用于汽车电子系统,如车载充电器和电动助力转向系统。
SiHF125N160E、IRFB4410、FDP160N15A、IPB125N16N3 G