类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：55 A
　　漏源电压（VDS）：75 V
　　漏栅电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 7.5 mΩ（在 VGS = 10 V 时）
　　栅极电荷（Qg）：约 110 nC
　　封装形式：TO-263（表面贴装）或 TO-220（通孔）

VBE55-12N07 MOSFET 具有多个突出的电气和热性能特点。其低导通电阻确保了在大电流条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。采用先进的沟槽技术使该器件在高频开关应用中表现出色，同时具备优异的热稳定性，能够承受较高的工作温度。
　　该器件的高栅极氧化层可靠性确保了其在复杂电磁环境中的稳定运行。VBE55-12N07 还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变等异常条件下提供额外的安全保障。其封装设计提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命。
　　此外，VBE55-12N07 支持快速开关操作，适用于需要高效率和高频率工作的电源系统。由于其出色的电气性能和高可靠性，该 MOSFET 成为了工业控制、汽车电子和消费类电源设备中的理想选择。

VBE55-12N07 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　? 电源管理系统：如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等；
　　? 电机控制：适用于无刷直流电机驱动器、电动工具、无人机动力系统等；
　　? 电池管理系统：用于电池充放电管理、电池保护电路等；
　　? 工业自动化：如伺服驱动器、PLC 控制模块、工业电源模块；
　　? 汽车电子：包括车载充电器、起停系统、LED 照明驱动等；
　　? 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统等。
　　该器件的高电流能力和低导通损耗使其在高功率密度设计中表现出色，能够满足现代电子设备对高效能、高可靠性的要求。

IRF1405, Si7452DP, FDP7452