VB026MSPTR-E是一款由Vishay Siliconix制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流能力,适用于需要高效功率管理的多种应用。该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,适用于表面贴装技术(SMT),便于在紧凑型电路设计中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A(Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):26mΩ(典型值,Vgs=10V)
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装:TO-252(DPAK)
VB026MSPTR-E具有多项优异的电气特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为26mΩ,可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件支持高达18A的连续漏极电流,在高功率负载下仍能保持稳定运行。其沟槽式结构设计优化了导通性能和开关速度,从而减少开关损耗。TO-252(DPAK)封装具备良好的热性能,便于散热,适用于高功率密度设计。VB026MSPTR-E还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,能够在恶劣工作条件下保持高可靠性。由于其栅极驱动电压为10V,该器件可直接由常见的PWM控制器驱动,简化了驱动电路设计。
VB026MSPTR-E广泛应用于各类功率电子设备中,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达控制电路以及电源管理系统。其高效率和低导通电阻特性使其特别适用于电池供电设备、电源适配器、电信设备和工业控制系统中的功率管理模块。此外,该器件还可用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。
Si4410BDY-E3-GEVB、IRFZ44N、IRLZ44N、FDP6030L、FDV303N