时间：2025/7/22 21:38:56
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VB026MSPTR-E是一款由Vishay Siliconix制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于需要高效功率管理的多种应用。该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型电路设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：18A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：26mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-252（DPAK）
VB026MSPTR-E具有多项优异的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为26mΩ，可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达18A的连续漏极电流，在高功率负载下仍能保持稳定运行。其沟槽式结构设计优化了导通性能和开关速度，从而减少开关损耗。TO-252（DPAK）封装具备良好的热性能，便于散热，适用于高功率密度设计。VB026MSPTR-E还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在恶劣工作条件下保持高可靠性。由于其栅极驱动电压为10V，该器件可直接由常见的PWM控制器驱动，简化了驱动电路设计。
VB026MSPTR-E广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达控制电路以及电源管理系统。其高效率和低导通电阻特性使其特别适用于电池供电设备、电源适配器、电信设备和工业控制系统中的功率管理模块。此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。
Si4410BDY-E3-GEVB、IRFZ44N、IRLZ44N、FDP6030L、FDV303N
