VALV34T 时间：2025/8/17 11:16:32 阅读：5

VALV34T 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率密度和高效能应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等领域。VALV34T 采用先进的封装技术，确保在高电流和高温度条件下仍能保持稳定性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：140A
　　导通电阻（Rds(on)）：@10V Vgs, 25°C时为3.4mΩ；@4.5V Vgs, 25°C时为5.3mΩ
　　功率耗散（Ptot）：180W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

VALV34T 具有极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其先进的沟槽式MOSFET技术确保了卓越的性能和可靠性。
　　该器件支持高电流负载能力，适用于高功率应用，如电动工具、工业自动化和汽车电子系统。
　　VALV34T 的 PowerFLAT 封装设计提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温，延长器件寿命。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在严苛的工作环境中保持稳定运行。
　　其栅极驱动电压范围较宽（4.5V 至 20V），支持与多种控制器和驱动器的兼容性，提高了设计灵活性。

应用

VALV34T 广泛应用于各种高功率和高效率需求的电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。
　　在DC-DC转换器中，VALV34T 的低导通电阻和高电流能力可显著提高转换效率，降低热损耗。
　　在电机控制和电池管理系统中，其高可靠性和抗雪崩能力确保了系统的稳定性和安全性。
　　此外，VALV34T 还适用于需要快速开关和低功耗的高频应用，提供卓越的动态性能。