VA100014A300 时间：2025/6/10 18:02:41 阅读：8

VA100014A300 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提高系统性能。
　　其封装形式为 TO-252，适合表面贴装工艺，同时具备出色的热性能和电气性能，适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

型号：VA100014A300
　　类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：60V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：14A
　　导通电阻 Rds(on)：3mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总栅极电荷 Qg：40nC
　　输入电容 Ciss：1800pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252

特性

VA100014A300 的主要特点是其卓越的电气特性和可靠性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可减少导通损耗并提升整体效率。
　　2. 快速开关性能，有助于在高频应用中保持高效运行。
　　3. 高浪涌能力，能够在瞬态条件下提供可靠的保护。
　　4. 优化的热设计，确保芯片即使在高负载情况下也能维持较低的工作温度。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子制造要求。
　　6. 提供稳健的 ESD 保护功能，增强器件的耐用性。

应用

该芯片适用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关。
　　2. 各种类型的 DC-DC 转换器，包括降压、升压及升降压转换器。
　　3. 电动工具、家用电器中的电机驱动控制。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
　　5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品中的功率管理部分。
　　6. 汽车电子系统中的电池管理和电源分配模块。