时间：2025/12/26 22:23:11
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V9MLA0402L是一款由Vishay Siliconix生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS阵列），主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应等瞬态电压事件的损害。该器件采用微型MLP（Micro Lead Frame Package）封装，尺寸仅为1mm x 0.6mm，适用于空间受限的便携式电子产品。V9MLA0402L集成了多个双向TVS二极管，能够为多条信号线提供高效、低电容的过压保护，广泛应用于高速数据接口电路中。其设计目标是满足IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容性标准，确保系统在恶劣电磁环境下的可靠运行。该器件具有响应速度快、钳位电压低、漏电流小等特点，适合用于保护USB、HDMI、SD卡接口、音频线路和传感器信号线等高速或高精度模拟/数字信号路径。
器件型号：V9MLA0402L
制造商：Vishay Siliconix
封装类型：MLP1006-4
通道数：4
工作电压（VRWM）：5.5 V
反向击穿电压（VBR）：最小6.5 V，典型7.0 V
最大钳位电压（VC）：13.5 V（在IPP = 1 A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：1 A（8/20 μs波形）
结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
储存温度范围：-55°C 至 +150°C
电容值（Cj）：典型值0.7 pF（在0 V偏压下）
ESD耐受能力：±30 kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
极性配置：双向
引脚数量：4
安装类型：表面贴装（SMD）
V9MLA0402L具备出色的瞬态抑制能力和极低的寄生电容，使其成为高速信号线路保护的理想选择。其单个二极管单元采用先进的硅雪崩技术制造，能够在纳秒级时间内响应瞬态过压事件，并将电压钳制在安全范围内，从而防止后端IC因过压而损坏。该器件的电容典型值仅为0.7 pF，在高频信号传输过程中几乎不会引入信号失真或衰减，特别适合用于USB 2.0、HDMI 1.4、MIPI DSI/CSI等带宽较高的接口。此外，由于其双向结构设计，能够同时应对正负极性的瞬态冲击，适用于交流耦合或双极性信号线路。
V9MLA0402L的微型MLP1006-4封装不仅节省PCB空间，还优化了内部引线布局，进一步降低了寄生电感，提升了高频性能。这种封装符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于自动化贴片生产流程。器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业、汽车及消费类电子产品。其漏电流极低（通常小于1 μA），在待机或低功耗模式下对系统能耗影响可忽略不计。
该TVS阵列通过了IEC 61000-4-2 Level 4（±8 kV接触，±15 kV空气放电）和IEC 61000-4-5浪涌抗扰度测试，表明其在严酷电磁环境中仍能提供可靠保护。与其他传统ESD保护器件相比，V9MLA0402L在保持高性能的同时实现了更小的体积和更低的电容，有助于提升终端产品的集成度与信号完整性。其可靠性经过严格测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高湿存储等实验，确保长期使用的稳定性。
V9MLA0402L广泛应用于各类需要高密度、高性能ESD保护的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-C、microUSB、耳机插孔等接口保护；它也常用于笔记本电脑、可穿戴设备和物联网终端的传感器信号线防护。在高清音视频设备中，可用于HDMI、DisplayPort、摄像头模组（如MIPI接口）的数据线保护，以防止插拔过程中的静电损伤。
此外，该器件适用于工业通信模块中的RS-485、CAN总线等差分信号线路保护，尤其是在暴露于外部连接器的场合。在汽车电子领域，虽然其并非专为AEC-Q101认证设计，但仍可用于非关键车载信息娱乐系统的低速信号接口保护。消费类数码产品如数码相机、MP3播放器、智能家居控制面板等也普遍采用此类微型TVS阵列来提升整机EMI/EMC性能。
由于其超小封装和低电容特性，V9MLA0402L非常适合高密度PCB布局，尤其在HDI（高密度互连）板上表现优异。它可以有效防止人体静电（HBM模型）和机器放电（MM模型）对CMOS工艺制成的ASIC、MCU、GPU等敏感芯片造成损害，延长产品寿命并提高客户满意度。在设计时只需将其并联在被保护信号线与地之间，并配合适当的布线规则（如短走线、低环路面积），即可实现最佳保护效果。
V9MLA0402LE
