类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　安装类型：表面贴装

V940ME24-LF MOSFET 采用 Vishay 的沟槽技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其低 Rds(on) 特性使得该器件非常适合用于高电流应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电机控制。
　　V940ME24-LF 提供高电流处理能力，连续漏极电流可达 110A，使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　该 MOSFET 的封装采用 PowerPAK SO-8 设计，具有较小的 PCB 占用空间，同时支持高效的散热管理。其栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，便于与多种控制器或驱动器配合使用。
　　在可靠性方面，V940ME24-LF 符合 RoHS 标准，并具有高抗静电能力（ESD），确保在复杂电磁环境中稳定运行。此外，该器件的短路耐受能力较强，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。

V940ME24-LF 广泛应用于各种高功率电子设备中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及服务器和通信电源。此外，该 MOSFET 还适用于高电流负载切换和电源管理模块的设计。

Si4410BDY-E3-GEVB, IRF6604TRPBF, FDS4410A