类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：11A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：22nC
　　输入电容（Ciss）：1200pF
　　功率耗散（Ptot）：83W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

V940ME11-LF具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件的最大漏极电流可达11A，支持在较高负载条件下稳定工作。此外，V940ME11-LF的栅极电荷（Qg）较低，仅为22nC，有助于减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET采用TO-252封装，具有良好的热传导性能，确保在高功率工作时能够有效散热。其工作温度范围宽达-55°C至175°C，适应各种严苛的环境条件。栅源电压范围为±20V，提供更宽的驱动电压容限，增加了设计的灵活性。
　　V940ME11-LF还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发电压或电流冲击下的可靠性。此外，其内部结构优化设计降低了开关过程中的电磁干扰（EMI），有助于提升系统的电磁兼容性。

V940ME11-LF广泛应用于多种电力电子系统中。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。在电源管理领域，该器件可作为主开关用于高效能的开关电源（SMPS）中。在汽车电子系统中，V940ME11-LF可用于车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统等关键模块。
　　由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品，如笔记本电脑电源适配器、平板电脑和智能家电的电源控制电路。此外，V940ME11-LF还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及LED照明驱动电路等应用场合。

Si4410BDY-E3-GEVB, FDD8882, IRLB8721PbF