时间：2025/4/3 10:37:50
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V8R0B0402HQC500NBT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺以实现高效率和低损耗。该器件专为高频开关应用而设计，适用于各种电源管理场景，包括 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动等。其优化的 Rds(on) 和 Qg 参数能够显著降低导通和开关损耗。
型号：V8R0B0402HQC500NBT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：160A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷(Qg)：90nC（典型值）
工作温度范围(Top)：-5℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷设计使得开关速度更快，从而降低了开关损耗。
3. 高额定电流能力（Id=160A），可满足大功率应用场景的需求。
4. 支持宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下的稳定运行。
5. 封装坚固耐用，具有良好的散热性能，适合长期高强度使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 开关模式电源(SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和储能系统中的功率调节。
3. 电动车(EV)和混合动力车(HEV)中的电机驱动及电池管理系统(BMS)。
4. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
5. LED 照明驱动电路以及其他需要高频开关的场合。
V8R0B0402HQD500NBT, IRF840, FDP55N06L
