V846ME07-LF 时间：2025/12/28 13:22:41 阅读：14

V846ME07-LF是一款由Vishay公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和管理应用。该器件采用先进的工艺制造，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于各类电源管理电路，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。V846ME07-LF采用TDFN（双侧引脚无引线封装）封装，具备良好的热管理和空间节省特性，适用于紧凑型设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TDFN-8

特性

V846ME07-LF具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在VGS为10V时，RDS(on)仅为22mΩ，在4.5V驱动电压下也能保持在32mΩ，这使得它在低电压驱动应用中表现出色。
　　其次，该MOSFET采用了TDFN封装，具备良好的热性能和较小的PCB占用空间。这种封装方式不仅有助于提高散热效率，还适用于自动化装配工艺，提升了生产效率。
　　此外，V846ME07-LF具有较高的栅极耐压能力（±20V），使其在面对电压波动或瞬态过电压的情况下仍能保持稳定工作，从而提高了器件的可靠性和寿命。
　　该器件的连续漏极电流为4.8A，在多种功率应用中具有足够的电流承载能力，适用于中高功率的电源转换系统。
　　最后，其工作温度范围为-55°C至150°C，可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

应用

V846ME07-LF广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。例如，在DC-DC降压/升压转换器中，它作为主开关器件，实现高效的电压转换；在负载开关或热插拔电路中，用于控制电流流动并防止过载；在电机驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停和方向；此外，它还可用于电池管理系统（BMS）、LED驱动器、电源适配器和便携式电子设备中的功率控制部分。