类型：双向可控硅（TRIAC）
　　最大重复峰值电压（VDRM）：1200V
　　最大通态电流（IT）：82A
　　控制极触发电流（IGT）：典型值50mA
　　保持电流（IH）：典型值50mA
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-40°C至+125°C

V82ZC12P是一种高性能的双向可控硅，专为高电压和高电流应用设计。其最大重复峰值电压为1200V，能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于复杂的电力系统环境。最大通态电流可达82A，支持较大的负载功率，适用于高功率交流控制场景。
　　V82ZC12P的控制极触发电流较低，典型值为50mA，使得其在各种控制电路中易于驱动，提高了系统的可靠性和稳定性。保持电流同样较低，典型值为50mA，有助于减少器件在低负载条件下的功耗，提高能效。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高温度环境下稳定工作。其工作温度范围为-40°C至+125°C，适应性强，适用于各种工业和恶劣环境条件下的应用。
　　V82ZC12P具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂的电磁环境中正常工作。其结构设计和制造工艺确保了器件在长时间运行中的可靠性，减少了故障率，延长了使用寿命。此外，该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在异常情况下保护电路，避免损坏其他元件。

V82ZC12P广泛应用于各种高功率交流控制场合，如工业自动化设备、电机控制、电热器控制、照明系统、电力调节装置等。其高电压和大电流特性使其特别适合用于需要频繁开关操作的系统，如变频器、不间断电源（UPS）、电动工具和家电设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于电力电子变换器、固态继电器和智能电网相关设备中，提供高效的电力控制解决方案。

V82ZC12P的替代型号包括T82ZC12P、BTA82ZC12P和S82ZC12P等。这些型号在电气特性和封装形式上与V82ZC12P相似，可以作为备选方案用于不同的设计需求。