V805ME04-LF 时间：2025/12/28 13:58:30 阅读：11

V805ME04-LF 是一个由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻和优异的热性能，适用于高效率电源设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.1A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：80mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（PD）：2W

特性

V805ME04-LF MOSFET 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，适用于高功率密度设计。其小型 TSOP 封装不仅节省空间，而且便于在高密度 PCB 设计中使用。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等应用。其栅极驱动电压较低，可与常见的逻辑电平驱动器兼容，简化了控制电路的设计。
　　该器件的封装设计优化了热管理性能，使得在高电流负载下仍能保持较低的温升。同时，其内部结构设计减少了寄生电容，提高了高频响应能力，使得 V805ME04-LF 成为高频开关应用的理想选择。此外，该 MOSFET 具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在异常工作条件下的可靠性。