V804ME10-LF 时间：2025/8/15 10:00:59 阅读：18

V804ME10-LF是一款由 Vishay Siliconix 制造的功率MOSFET晶体管。这款器件主要用于高功率应用，例如电源管理、开关电路和电机控制。V804ME10-LF采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能。该器件的封装设计适用于需要高功率密度和良好热管理的应用场景。

参数

类型: MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)
　　晶体管类型: N-Channel
　　漏源电压 (VDS): 80V
　　栅源电压 (VGS): ±20V
　　连续漏极电流 (ID): 10A
　　导通电阻 (RDS(on)): 0.045Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散 (Ptot): 50W
　　封装类型: TO-220AB
　　工作温度范围: -55°C ~ +175°C
　　存储温度范围: -65°C ~ +175°C

特性

V804ME10-LF功率MOSFET具有多个显著的特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流下能够保持较低的功率损耗，从而提高系统的效率。其次，该器件支持高达80V的漏源电压，适用于中高功率的开关电源、电机驱动和负载开关应用。此外，V804ME10-LF的栅极驱动电压范围较宽（±20V），可以在不同的驱动条件下保持稳定的性能。其TO-220AB封装形式具备良好的散热能力，适合在高功耗环境下使用。该器件还具有良好的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态电压或电感负载切换时的可靠性。最后，V804ME10-LF的制造工艺确保了较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的关键功率控制电路。