时间：2025/7/14 14:41:35
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V72C24T150BL 是一款专为高温、高可靠性应用场景设计的非易失性存储器芯片，属于铁电随机存取存储器（FRAM）的一种。该型号由赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor）制造，具有高速读写能力、几乎无限次的写入寿命和低功耗特性，非常适合用于需要频繁数据记录和保持的工业控制系统、智能仪表、医疗设备以及其他嵌入式系统。
类型：FRAM（铁电随机存取存储器）
容量：2 Mbit
组织结构：256K x8
工作电压：2.7V 至 3.6V
最大访问时间：55 ns
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：TSOP
引脚数量：54
接口类型：并行接口
V72C24T150BL 的主要特性之一是其非易失性存储技术，无需备用电源即可永久保存数据，这使其在断电情况下也能确保数据完整性。
此外，该芯片支持高达55 ns的快速访问时间，具备与传统的静态随机存取存储器（SRAM）相当的读写速度，但拥有非易失性的优势。
V72C24T150BL 还具有极高的耐用性，可支持超过10^14次读写操作，远超传统EEPROM或闪存的限制。
其宽广的工作温度范围（-40°C至+125°C）也确保了它能够在极端环境条件下稳定运行，适用于汽车电子、航空航天等对温度要求严苛的应用场景。
同时，这款FRAM芯片的功耗非常低，在待机模式下电流消耗仅为几微安级别，有助于延长电池供电系统的续航时间。
V72C24T150BL 常被用于需要高频次数据采集与存储的应用中，例如工业自动化控制设备中的实时数据缓冲、智能电表中的能耗记录模块、医疗监测设备中的病人数据存储单元，以及各种需要可靠数据记录的日志系统。
此外，由于其优异的抗辐射能力和宽温区工作性能，该芯片也非常适合用于航天航空、国防军工等领域的嵌入式系统中。
对于那些希望减少系统复杂度、省去电池备份机制的设计方案来说，V72C24T150BL 提供了一个高效且可靠的替代方案。
它也可以作为 SRAM 和 EEPROM 的混合替代品，实现更简洁的电路设计。
FM24V10-GTR、MB85RS2MT-PPP-G-JNERE1、CY7C1513KV18-55BVGC
