时间：2025/12/28 14:10:59
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V700ME04 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，主要用于高功率应用，如电源转换、电机控制和工业自动化系统。该模块采用高性能硅技术制造，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适合在高效率和高可靠性要求的系统中使用。
类型：MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：400A
最大漏-源电压（VDS）：700V
导通电阻（RDS(on)）：≤1.45mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：双列直插式（Dual-in-line）
热阻（Rth）：0.18°C/W（典型值）
栅极电荷（Qg）：250nC（典型值）
V700ME04 具备优异的电气性能和热管理能力，能够在高电流和高电压条件下稳定工作。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。同时，该模块采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
此外，V700ME04 内部集成了多个MOSFET单元，并通过优化布局减少了寄生电感，有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗。该模块还具备较高的短路耐受能力，增强了在严苛工况下的可靠性。
在可靠性方面，V700ME04 采用了东芝成熟的功率半导体制造工艺，确保了器件在长时间高负荷运行下的稳定性。其封装材料具备良好的绝缘性能和耐高温能力，适用于工业级应用环境。
V700ME04 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中，如工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及电焊机等。在这些应用中，该模块能够提供高效、稳定的功率开关功能，满足高效率和高可靠性的设计需求。
V700ME04G, V700ME04P, V700ME06
