V614ME06-LF 时间：2025/12/28 13:11:02 阅读：9

V614ME06-LF 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关场合。该器件采用 TO-252 封装（也称为 DPAK），具有低导通电阻和良好的热性能，适用于中高功率应用。

参数

类型：MOSFET（N 沟道）
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（最大值）
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

V614ME06-LF 具备一系列优异的电气和热性能，使其在功率应用中表现出色。首先，其漏源电压为 60V，适用于多种中压电源转换和功率控制场合。栅源电压额定值为 ±20V，提供了良好的栅极控制能力，同时具备一定的过压保护能力。
　　该器件的最大连续漏极电流为 80A，能够在高负载条件下稳定运行。其导通电阻仅为 3.5mΩ（最大值），大大降低了导通损耗，提高了系统效率。这对于高频开关应用尤为重要，有助于减少功率损耗并提高整体能效。
　　此外，V614ME06-LF 的 TO-252 封装具备良好的热管理能力，能够有效将热量传导至 PCB 板上，从而提升器件的散热效率。这种封装形式也便于安装和焊接，适合自动化生产流程。
　　其最大功耗为 160W，在高温环境下依然保持良好的稳定性。工作温度范围从 -55°C 到 175°C，使其适用于各种恶劣的工业和汽车电子环境。