容量：128K x 16位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：15ns
　　封装类型：54引脚SOJ
　　数据总线宽度：16位
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装尺寸：约20.19mm x 13.49mm
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　最大工作频率：约66MHz（基于访问时间计算）
　　功耗：典型值为300mA（待机模式下电流低于10mA）

V58C2128164SC15是一种异步SRAM，具备高速读写能力，访问时间仅为15纳秒，适用于需要快速数据存取的应用场景。其128K x 16位的存储结构提供256KB的总存储容量，适合存储大量数据或代码。该器件采用5V电源供电，兼容TTL电平标准，确保与其他数字电路的无缝接口。
　　
　　这款SRAM具有低待机电流特性，在未进行数据读写操作时可显著降低功耗，适用于对功耗敏感的应用。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）确保在各种环境条件下稳定运行，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统。
　　
　　V58C2128164SC15采用54引脚SOJ封装，这种封装形式在空间受限的应用中具有优势，同时提供了良好的散热性能。此外，该SRAM无需刷新操作，简化了系统设计并提高了数据可靠性。其高速度和稳定性使其成为替代DRAM的理想选择，尤其适用于需要快速响应的应用。

V58C2128164SC15常用于需要高速存储器的嵌入式系统、工业自动化设备、通信模块（如路由器和交换机）、测试设备、数据采集系统和计算机外围设备。其高速读写能力和低功耗特性也使其适用于需要频繁访问存储器的控制系统和实时数据处理应用。

CY7C199-15VC
　　AS7C31026A-15TCN
　　IDT71V416S15PF
　　CY7C1041CV25-15ZC
　　IS61LV25616-15T