时间：2025/8/16 1:15:20
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V582ME18-LF是一款由 Vishay / Siliconix 生产的双N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用领域。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：8-PowerTDFN
安装类型：表面贴装
功率耗散(Pd)：2.5W
V582ME18-LF MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的双N沟道结构设计允许其在高频率下运行，同时保持良好的稳定性和性能。此外，其低栅极电荷（Qg）使得开关损耗显著降低，非常适合用于高频开关应用。V582ME18-LF还具备优异的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。
这款MOSFET的封装设计优化了PCB空间的利用率，适用于紧凑型设计。同时，其符合RoHS标准，是一款绿色环保的电子元器件。在可靠性方面，V582ME18-LF通过了严格的测试标准，能够在各种严苛的工业和消费类环境中稳定运行。
V582ME18-LF MOSFET常用于各类电子设备中，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、马达控制电路、LED照明驱动电路等。由于其高性能和紧凑的封装，该器件特别适合用于便携式设备和高密度电源应用。
Si8418EDB-T1-E, BSS138K, FDN340P, AO4406A
