V582ME18-LF是一款由 Vishay / Siliconix 生产的双N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。该器件采用先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻和优异的热性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用领域。
类型:双N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):18mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:8-PowerTDFN
安装类型:表面贴装
功率耗散(Pd):2.5W
V582ME18-LF MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,具有极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的双N沟道结构设计允许其在高频率下运行,同时保持良好的稳定性和性能。此外,其低栅极电荷(Qg)使得开关损耗显著降低,非常适合用于高频开关应用。V582ME18-LF还具备优异的热管理能力,能够在高温环境下稳定工作。
这款MOSFET的封装设计优化了PCB空间的利用率,适用于紧凑型设计。同时,其符合RoHS标准,是一款绿色环保的电子元器件。在可靠性方面,V582ME18-LF通过了严格的测试标准,能够在各种严苛的工业和消费类环境中稳定运行。
V582ME18-LF MOSFET常用于各类电子设备中,包括但不限于:电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、马达控制电路、LED照明驱动电路等。由于其高性能和紧凑的封装,该器件特别适合用于便携式设备和高密度电源应用。
Si8418EDB-T1-E, BSS138K, FDN340P, AO4406A