类型：齐纳二极管
　　封装：DO-35
　　标称齐纳电压：5.6V
　　齐纳电压容差：±5%
　　最大齐纳阻抗：10Ω（在 IZT 条件下）
　　测试电流（IZT）：20mA
　　最大反向漏电流：1μA（在 VR = 1V 时）
　　最大稳态功率耗散：500mW
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　温度系数：±2mV/°C（典型值，接近零温度系数点）

V56ZA8P 齐纳二极管的核心特性之一是其在 5.6V 电压点具备接近零的温度系数，这是齐纳二极管中极为理想的工作点。大多数齐纳二极管在低于 5V 时表现出负温度系数，而高于 6V 则呈现正温度系数，但在 5.6V 左右，两种效应相互抵消，使得整体温度漂移最小。这一特性使得 V56ZA8P 特别适合用于高精度电压参考电路，例如在 A/D 转换器、D/A 转换器或运算放大器偏置电路中作为基准电压源。即使环境温度发生较大变化，该器件仍能保持输出电压的高度稳定性，显著降低系统误差。
　　该器件采用 DO-35 封装，具有较小的物理尺寸，便于在紧凑型 PCB 设计中使用。玻璃封装不仅提供了良好的气密性，还能有效防止湿气和污染物侵入，提升长期可靠性。DO-35 封装也支持通孔安装，适用于传统插件工艺和自动化装配线。此外，V56ZA8P 的最大功率耗散为 500mW，在适当的散热条件下可长时间稳定工作，适用于中低功率稳压应用。其快速动态响应能力使其在面对输入电压突变或负载瞬变时能够迅速调节，避免下游电路受到电压冲击。
　　V56ZA8P 的 ±5% 电压容差确保了批量生产中的一致性，同时其低齐纳阻抗（典型值 10Ω）意味着在负载变化时电压波动较小，进一步提升了稳压性能。该器件在反向击穿区工作时表现出良好的非线性特性，能够在宽电流范围内维持稳定的电压输出。此外，其低漏电流特性（在未击穿状态下小于 1μA）有助于减少待机功耗，特别适用于电池供电或节能型设备。综合来看，V56ZA8P 凭借其优异的温度稳定性、可靠的封装工艺和稳定的电气性能，成为众多稳压与参考电路中的首选器件。

V56ZA8P 广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子系统中。在电源管理电路中，它常被用作低压直流稳压器的基准源，特别是在没有专用基准芯片的低成本设计中，可直接为误差放大器提供参考电压。在模拟信号处理领域，该器件可用于偏置电路或电平转换电路，确保运放或其他模拟器件在预定电压范围内工作。在工业控制系统中，V56ZA8P 可作为传感器信号调理电路中的稳压元件，防止因供电波动导致测量误差。
　　在通信设备中，该齐纳二极管可用于保护敏感接口免受静电放电（ESD）或电压浪涌的影响，虽然其主要功能不是瞬态抑制，但在低能量瞬态事件中仍能起到一定钳位作用。此外，在消费类电子产品如家用电器、音频设备和小型电源适配器中，V56ZA8P 常用于 LED 驱动电路或微控制器供电路径中的过压保护。在测试与测量仪器中，由于其低温度漂移特性，常被用于校准电路或作为精密分压网络的一部分。
　　该器件还适用于嵌入式系统中的上电复位（POR）电路，通过提供稳定的触发电压来确保微处理器可靠启动。在汽车电子中，尽管其不专门针对汽车级标准设计，但在部分辅助电路或诊断模块中仍可使用，前提是工作环境温度在其允许范围内。总之，V56ZA8P 因其高稳定性、低成本和易用性，成为工程师在设计简单稳压、电压钳位和参考源时的常用选择。

BZX55C5V6
　　1N4734A
　　MMSZ56VT1G