V5036S 时间：2025/12/29 13:22:29 阅读：10

V5036S 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）以及高电流处理能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等多种应用。V5036S 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和紧凑的设计，适合用于空间受限的电子设备。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：36 A（最大）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻 RDS(on)：4.2 mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：100 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

V5036S 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其 RDS(on) 在 VGS = 10V 时仅为 4.2 mΩ，使得该器件在高电流应用中表现出色。此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽结构设计，优化了电流传导路径，提升了器件的可靠性和耐用性。
　　该器件具备良好的热管理能力，TO-252（DPAK）封装提供了优异的散热性能，使得 V5036S 能够在高温环境下稳定运行。其最大漏极电流可达 36A，在高功率负载条件下仍能保持稳定工作。
　　V5036S 还具备较高的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），这有助于降低开关损耗，提高系统整体效率。它适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等场景。此外，该器件的耐压能力为 30V，适用于多种中低压电源管理应用。
　　由于其优异的性能指标和稳定的封装设计，V5036S 在工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域得到了广泛应用。

应用

V5036S 主要应用于以下领域：
　　1. **DC-DC 转换器**：用于高效能的电压转换电路中，特别是在同步整流拓扑中表现优异。
　　2. **负载开关**：在需要控制高电流负载的应用中，如电源管理模块和智能开关系统。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：用于电动工具、电动车和储能系统中的充放电控制电路。
　　4. **电机控制**：在直流电机驱动器和伺服控制系统中作为功率开关使用。
　　5. **电源管理模块**：用于工业自动化设备、服务器电源和嵌入式系统的高效电源管理解决方案。