时间：2025/5/26 21:30:12
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V4R7D0201C0G500NAT 是一款高性能的氮化镓（GaN）功率晶体管，基于增强型场效应晶体管（eGaN FET）技术设计。该器件适用于高频开关应用，如电源转换器、DC-DC转换器和无线充电系统等。其出色的开关特性和低导通电阻使得它成为传统硅基MOSFET的理想替代方案。
该器件采用先进的封装技术，能够有效降低寄生电感，并提高整体效率和可靠性。此外，它还具有较高的击穿电压和较低的栅极电荷，从而在高频条件下实现高效能表现。
型号：V4R7D0201C0G500NAT
类型：增强型氮化镓功率晶体管
导通电阻（Rds(on)）：20 mΩ（典型值，在25°C下）
击穿电压（BVDSS）：650 V
栅极电荷（Qg）：30 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
最大漏极电流（Id）：15 A（脉冲）
1. 高效的功率转换性能，特别适合高频应用。
2. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，可显著降低开关损耗。
4. 支持高达650V的工作电压，适用于广泛的高压场景。
5. 工作温度范围宽广，适应极端环境条件。
6. 具备短路保护功能，提升系统的可靠性和安全性。
7. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源（SMPS）中的高频功率转换。
2. 电动汽车充电基础设施，包括直流充电桩和车载充电器。
3. 数据中心电源模块和工业用高效DC-DC转换器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力电子设备。
5. 无线充电发射端和接收端电路。
6. 音频放大器和电机驱动控制器等需要高效率和快速响应的应用场景。
V4R8D0201C0G500NAT
V4R7D0201C0G400NAT
GXT650E020A
