时间：2025/6/20 17:47:19
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V4R7B0201HQC250NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等场景。该芯片采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于高效率和高密度的电力电子设计。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式通常为贴片式，便于表面贴装技术（SMT）生产，适合自动化装配。V4R7B0201HQC250NAT 的设计使其能够在高频工作条件下保持较低的功耗，并具备良好的耐用性和可靠性。
型号：V4R7B0201HQC250NAT
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压（Vds）：250V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：130A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷（Qg）：95nC
输入电容（Ciss）：3800pF
输出电容（Coss）：65pF
反向恢复时间（trr）：35ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
V4R7B0201HQC250NAT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高频开关能力，支持快速切换，减少开关损耗。
3. 优秀的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
4. 内置 ESD 保护电路，增强抗静电能力。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
7. 可靠性高，经过严格的测试和验证流程，适用于工业级和汽车级应用。
该芯片适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动车辆及混合动力车辆中的电机控制器和 DC/DC 转换器。
3. 太阳能逆变器中用于功率转换的开关元件。
4. 工业设备中的变频驱动器和伺服驱动器。
5. UPS 不间断电源系统。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率管理的应用。
V4R7B0201HQC250NAT 凭借其优越的电气特性和可靠性，是众多高要求应用的理想选择。
V4R7B0201HQC250NAT-A, IRFP260N, STP130N25K5
