V40M150C-M3/4W 是一种高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件,广泛应用于高频、高效率的功率转换场景。该型号采用先进的碳化硅技术,具有出色的开关特性和低导通电阻,能够显著提高系统的效率和功率密度。
这种功率器件适用于硬开关和软开关拓扑结构,适合工业电源、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 等领域。
额定电压:1500V
额定电流:40A
导通电阻:6.8mΩ
栅极电荷:95nC
反向恢复时间:120ns
工作温度范围:-55℃ to +175℃
V40M150C-M3/4W 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,额定阻断电压高达 1500V,适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻,仅为 6.8mΩ,在大电流应用中减少功率损耗。
3. 快速开关性能,具备较低的栅极电荷和输出电荷,有助于提高工作效率。
4. 耐高温设计,支持最高结温达 175℃,增强了器件在恶劣环境中的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
6. 内置反并联二极管,优化了体二极管的性能,降低反向恢复损耗。
V40M150C-M3/4W 主要用于以下应用场景:
1. 工业电机驱动与变频器,提供高效功率控制。
2. 太阳能光伏逆变器,实现高效率能量转换。
3. 不间断电源 (UPS) 和储能系统,提升系统稳定性和效率。
4. 开关电源 (SMPS),支持更高频率和更小体积设计。
5. 电动汽车 (EV) 充电桩,满足快充需求。
V40M150B-M3/4W, C2M0040150D