容值：22pF
　　额定电压：50V
　　介质材料：C0G
　　公差：±5%
　　工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
　　封装尺寸：0402英寸 (1.0mm x 0.5mm)
　　直流偏置特性：不显著（由于C0G介质特性）
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　ESL（等效串联电感）：极低

V3R3C0201C0G500NAT 使用 C0G 介质，这种介质的特点是温度系数接近零（典型值为0±30ppm/℃），因此在广泛的工作温度范围内，电容量几乎保持不变。此外，C0G 介质还具有低损耗（tanδ 值低）和高稳定性，特别适合要求严格的高频电路和精密模拟电路。
　　该器件采用多层陶瓷结构，体积小但性能优越，能够承受较高的额定电压（50V）。同时，其表贴封装形式使其易于集成到现代 PCB 板中，并且能够在高速生产线上进行自动化焊接。
　　由于其出色的频率特性和低 ESR/ESL 特性，V3R3C0201C0G500NAT 非常适合应用于射频前端模块、无线通信设备、医疗电子以及工业控制等领域。

该电容器的主要应用包括但不限于以下场景：
　　1. 电源滤波：在开关电源或 DC-DC 转换器中用作输入输出端的滤波元件，以降低噪声和纹波。
　　2. 高频耦合与解耦：在高频放大器和振荡器中起到信号耦合或去耦作用。
　　3. 射频电路：作为匹配网络的一部分，用于调整阻抗并优化传输效率。
　　4. 振荡电路：在晶振电路中提供稳定的负载电容，确保精确的频率输出。
　　5. 精密测量仪器：利用其温度稳定性和低漂移特性，提高测量精度。
　　6. 医疗电子设备：如超声波探头或其他需要高稳定性的医疗器械中。

VJ1111X220K100YC, GRM1555C1H220KA01D, CC0402C220J5GACD