型号：V360CH8T
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　晶体管类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：140 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：560 A
　　导通电阻 RDS(on)：3.6 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　导通电阻 RDS(on)：4.8 mΩ（@ VGS = 4.5 V）
　　栅极电荷（Qg）：130 nC（@ VGS = 10 V）
　　输入电容（Ciss）：7300 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：18 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：65 ns
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AB

V360CH8T 具备优异的导通性能和开关特性，这主要得益于其采用的先进沟槽式 MOSFET 工艺。该工艺通过优化芯片内部的沟道结构，显著降低了单位面积下的导通电阻（RDS(on)），从而在大电流应用中有效减少功率损耗并提高系统效率。在 VGS = 10 V 的驱动条件下，其典型 RDS(on) 仅为 3.6 mΩ，即便在较低的驱动电压如 4.5 V 下也能保持 4.8 mΩ 的低阻状态，说明其对驱动电路的要求较为宽松，兼容性较强。这种低导通电阻特性使其非常适合用于高电流路径中的开关元件，例如同步整流器或电池管理系统中的主开关。
　　该器件具有较高的电流承载能力，在外壳温度为 25°C 时可承受高达 140 A 的连续漏极电流，并支持峰值达 560 A 的脉冲电流，适用于瞬态负载较大的应用场景。其热性能优秀，结合 TO-220AB 封装良好的散热能力，可在高功率密度设计中稳定运行。此外，V360CH8T 的栅极电荷（Qg）为 130 nC，属于中等偏低水平，有助于降低驱动损耗并提升开关频率上限，适用于高频 PWM 控制电路。
　　在开关动态特性方面，V360CH8T 表现出较快的响应速度，开启延迟时间为 18 ns，关断延迟时间为 65 ns，配合较小的输入电容（Ciss = 7300 pF），可实现快速的电压建立与电流切换，减少开关过渡期间的能量损耗。其体二极管反向恢复时间 trr 为 28 ns，相对较短，有助于抑制反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰，提升系统可靠性。整体而言，V360CH8T 在导通损耗、开关速度、热管理和电气鲁棒性之间实现了良好平衡，是一款适用于多种中高功率开关应用的高性能 MOSFET 器件。

V360CH8T 广泛应用于各类需要高效能、高电流开关能力的电力电子系统中。典型应用包括直流-直流（DC-DC）降压或升压转换器，尤其是在多相 buck 变换器中作为下管或上管使用，凭借其低 RDS(on) 和高电流能力显著提升转换效率。在服务器电源、通信电源模块及笔记本电脑适配器等高密度电源设计中，该器件可用于同步整流电路，替代传统肖特基二极管以降低导通压降和热耗散。
　　此外，V360CH8T 也常用于电机驱动电路，例如无刷直流电机（BLDC）或步进电机的 H 桥驱动拓扑中，作为功率开关元件实现精确的电流控制与方向切换。其快速开关能力和良好的热稳定性使其在频繁启停或高负载循环工况下仍能保持可靠运行。
　　在电池供电系统中，如电动工具、电动自行车或储能系统中，V360CH8T 可作为主开关或负载开关使用，用于控制电池与负载之间的通断，防止过流或短路故障。其宽工作结温范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于严苛环境下的工业设备，如 PLC 控制器、工业电源单元和自动化控制系统。
　　该器件还可用于逆变器、UPS 不间断电源、LED 驱动电源以及热插拔控制器等场合。由于其封装为标准 TO-220AB，便于安装散热片，适合手工焊接或波峰焊工艺，因此在原型开发和批量生产中均具有良好的适用性。

IRF1404ZPBF
　　STP140N3LLF7
　　IPB036N30N5