时间：2025/5/16 18:53:11
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V300C28M150BL 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高功率的应用场景。该器件采用了先进的封装技术，能够实现高效的功率转换和卓越的热性能。其设计旨在满足现代电源系统对高效能、小尺寸和高可靠性的需求。
该型号属于宽禁带半导体器件，具有较低的导通电阻和开关损耗，同时支持更高的工作频率，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电设备以及其他高频功率应用。
额定电压：650 V
额定电流：150 A
导通电阻：28 mΩ
最大工作温度：175 °C
封装类型：TO-247-4L
开关频率范围：最高 2 MHz
输入电容：1200 pF
栅极阈值电压：2.5 V
总热阻：0.15 K/W
1. 高效的氮化镓技术，确保低导通电阻和开关损耗。
2. 支持高频操作，有助于减小无源元件体积，提升整体功率密度。
3. 先进的热管理设计，能够在高负载条件下保持稳定性能。
4. 内置过流保护和短路保护功能，增强系统的可靠性。
5. 封装兼容性好，便于现有设计升级到更高效的技术平台。
6. 栅极驱动要求简单，与传统硅基 MOSFET 的驱动方式相似，降低了设计复杂度。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电系统
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车充电桩
6. 工业电机驱动
7. 消费类快充适配器
V300C28M120AL, GAN063-650WSA, Infineon CoolGaN 600V
