V2R7B0201HQC500NAT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效开关性能的场景。该型号属于 Vishay 的 trenchFET 第四代产品系列,采用 N 沟道设计,具备低导通电阻和快速开关速度的特点。
该器件通过优化的制造工艺实现了出色的电气性能,在便携式电子设备、计算机外设、电信设备等应用领域中表现出色。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:38A
导通电阻(典型值):1.1mΩ
栅极电荷:69nC
总电容:1050pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
V2R7B0201HQC500NAT 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力,适合高负载应用场景。
3. 快速开关速度,减少开关损耗。
4. 采用无铅封装技术,符合 RoHS 标准。
5. 耐热增强型设计,能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 小型化封装,节省 PCB 空间,便于设计紧凑型电路。
7. 可靠性高,适用于工业级和消费级市场。
这款 MOSFET 主要用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的桥臂开关元件。
3. 笔记本电脑及平板电脑适配器的同步整流。
4. 电信设备中的负载开关和保护电路。
5. LED 驱动器中的电流控制组件。
6. 各类电池管理系统 (BMS) 中的保护与切换功能实现。
Vishay IRF7842TRPBF, Infineon BSC018N04LS G, ON Semiconductor NTMFS4827NL