时间：2025/6/28 20:39:04
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V2R7B0201HQC500NAT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效开关性能的场景。该型号属于 Vishay 的 trenchFET 第四代产品系列，采用 N 沟道设计，具备低导通电阻和快速开关速度的特点。
该器件通过优化的制造工艺实现了出色的电气性能，在便携式电子设备、计算机外设、电信设备等应用领域中表现出色。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：1.1mΩ
栅极电荷：69nC
总电容：1050pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
V2R7B0201HQC500NAT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适合高负载应用场景。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 采用无铅封装技术，符合 RoHS 标准。
5. 耐热增强型设计，能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 小型化封装，节省 PCB 空间，便于设计紧凑型电路。
7. 可靠性高，适用于工业级和消费级市场。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的桥臂开关元件。
3. 笔记本电脑及平板电脑适配器的同步整流。
4. 电信设备中的负载开关和保护电路。
5. LED 驱动器中的电流控制组件。
6. 各类电池管理系统 (BMS) 中的保护与切换功能实现。
Vishay IRF7842TRPBF, Infineon BSC018N04LS G, ON Semiconductor NTMFS4827NL
