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V2R0B0201C0G500NAT 发布时间 时间:2025/7/8 19:22:15 查看 阅读:11

V2R0B0201C0G500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,适合高频开关应用。

参数

型号:V2R0B0201C0G500NAT
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):130A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
  总功耗(Ptot):200W
  封装形式:TO-247-3

特性

V2R0B0201C0G500NAT 具有出色的电气性能,其主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在大电流条件下显著降低功耗。
  2. 高速开关能力,适用于高频工作场景。
  3. 强大的散热设计,能够承受较高的结温范围。
  4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提高了系统的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合各种工业应用环境。
  该器件结合了高效能与高可靠性的特点,使其成为电力电子领域的理想选择。

应用

V2R0B0201C0G500NAT 的典型应用场景包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 电动车辆(如电动车、叉车等)中的电机驱动控制器。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  4. 太阳能逆变器中的功率调节系统(Power Conditioning System, PCS)。
  5. 不间断电源(UPS)以及电池充电管理系统(BMS)。
  凭借其强大的性能,该器件在需要高效率和高功率密度的应用中表现出色。

替代型号

V2R0B0201C0G300NAK, IRF2807Z, FDP16N60E

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