时间：2025/6/5 13:51:39
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V2R0A0402HQC500NBT 是一款由 Vishay 生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 SiHFxx 系列。该系列器件专为高频开关应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、LED 驱动器以及工业控制等领域。
该器件采用 N 沟道技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，使其在效率和性能上表现出色。同时，其封装形式为 PowerPAK? 1212-8，具有出色的散热特性和高功率密度。
型号：V2R0A0402HQC500NBT
类型：N沟道MOSFET
漏源极电压(Vds)：400V
连续漏极电流(Id)：2.3A
栅极阈值电压(Vgs(th))：4V
导通电阻(Rds(on))：6.5Ω (最大值，在 Vgs=10V 时)
功耗(Ptot)：3.1W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK? 1212-8
V2R0A0402HQC500NBT 的主要特性包括：
1. 极高的耐压能力，支持高达 400V 的漏源极电压，适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻 (6.5Ω)，能够减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力，具备短开关时间和低栅极电荷，适用于高频电路。
4. 工作温度范围广 (-55°C 至 +175°C)，能够在极端环境下保持稳定性能。
5. 小型化封装 PowerPAK? 1212-8，提供良好的热性能和电气连接性。
6. 具有增强的 ESD 保护功能，提升了器件的可靠性。
V2R0A0402HQC500NBT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为开关元件。
2. LED 驱动器中的功率调节和负载控制。
3. 电机驱动和逆变器电路中的功率级组件。
4. 工业自动化设备中的信号切换与负载控制。
5. 高频谐振转换器和其他需要高效能开关的应用场景。
V2R0A0402HQD500NBT, V2R0A0402HQC500NB
