类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　最大重复反向电压（VRRM）：28 V
　　平均整流电流（IO）：1 A
　　正向压降（VF）：典型值 470 mV @ 1 A
　　最大反向漏电流（IR）：200 μA @ 28 V
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30 A
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：250 K/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　反向恢复时间（trr）：≤ 10 ns

V285ME01-LF具备优异的电学性能和物理特性，使其在众多低压整流和续流应用中表现出色。其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，在1A电流下典型值仅为470mV，显著降低了功率损耗，提高了整体系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，该器件拥有非常快的开关速度，反向恢复时间不超过10ns，几乎无反向恢复电荷，避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的能量损耗和电磁干扰问题，因此特别适用于高频DC-DC转换器和开关电源中的续流或箝位应用。
　　该二极管的最大重复反向电压为28V，额定平均整流电流为1A，能够满足大多数低电压电源系统的使用需求。其峰值浪涌电流可达30A，表明其具有较强的瞬态过载承受能力，提升了系统在启动或异常情况下的可靠性。SOD-123FL封装体积小巧，尺寸约为2.7mm x 1.8mm x 1.1mm，节省PCB空间，适用于高密度布局设计。该封装还优化了内部引线结构，进一步降低了寄生电感和电阻，提升高频性能。
　　在可靠性方面，V285ME01-LF的工作结温范围从-55°C到+150°C，可在极端温度环境下稳定运行。器件通过了AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子应用。此外，产品采用无铅设计，符合RoHS和WEEE环保指令，支持绿色制造。其低热阻特性（RθJA=250K/W）有助于有效传导热量，减少局部温升，延长使用寿命。总体而言，V285ME01-LF是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管，结合了低VF、高速度、小尺寸和强环境适应性等优点，适用于现代电子系统对能效和空间利用的严苛要求。

V285ME01-LF广泛应用于多种电源相关电路中。常见用途包括DC-DC转换器中的输出整流和续流二极管，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）和反激式（Flyback）拓扑结构中，其低正向压降和快速响应能力可显著提升转换效率。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中，该器件用于电池充电管理、电源路径控制和电压箝位保护电路，帮助实现轻薄化设计并延长电池寿命。
　　此外，V285ME01-LF也适用于工业控制模块、电信设备、LED驱动电源和小型电源适配器等场景。在这些应用中，它常被用作防止反向电流的隔离二极管或提供瞬态电压保护的箝位元件。由于其通过AEC-Q101认证，该器件同样可用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED照明电源和辅助电源单元，在高温、高振动环境下仍能保持稳定性能。
　　在电路设计中，V285ME01-LF还可作为高速开关电路中的自由轮二极管，用于抑制电感负载断开时产生的反电动势，保护MOSFET或晶体管等有源器件。其表面贴装特性便于自动化生产和回流焊工艺，适合大规模制造。总之，该器件凭借其综合性能优势，已成为各类低电压、高效率电源解决方案中的关键组件。

MBR130-TP
　　SBM1045LT1G
　　VS1L30-M3/H1