时间：2025/12/26 23:01:24
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V26MLA1210H是一款由Vishay Semiconductors生产的多层压敏电阻（MLV），专为电子设备中的瞬态电压抑制和过压保护而设计。该器件采用紧凑的表面贴装技术（SMT）封装，适用于需要高可靠性和空间效率的应用场景。V26MLA1210H基于锌氧化物（ZnO）半导体材料制造，具备优异的非线性电压-电流特性，能够在正常工作电压下呈现高阻抗状态，而在遭遇电压浪涌或静电放电（ESD）事件时迅速转变为低阻抗状态，将过电压能量泄放到地，从而保护下游敏感电路元件。该型号命名中，“V”代表Vishay品牌，“26M”表示其额定电压等级，“LA”标识其为压敏电阻产品线，“1210”指其封装尺寸符合EIA 1210标准（即3.2 mm × 2.5 mm）。由于其快速响应时间和高能量吸收能力，V26MLA1210H广泛应用于便携式消费电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子模块中。该器件符合RoHS指令要求，并具备良好的耐湿性和热稳定性，适合自动化贴片生产工艺。
制造商：Vishay Semiconductors
产品系列：MLA
器件类型：多层压敏电阻（MLV）
封装/外壳：1210（3.2mm x 2.5mm）
最大直流工作电压：26V
标称压敏电压（V@1mA）：约30V
峰值脉冲电流（8/20μs）：200A
最大钳位电压（Ip=200A）：55V
能量吸收能力（单脉冲）：1.5J
电容值（典型值，1kHz）：1000pF
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-40°C 至 +150°C
引脚数：2
安装类型：表面贴装（SMD）
符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200 (if applicable)
V26MLA1210H具备卓越的瞬态电压抑制性能，能够在极短时间内响应高达200A的浪涌电流，确保受保护电路不受损坏。其核心特性之一是优异的非线性伏安特性，表现为在低于阈值电压时呈现极高的绝缘电阻，漏电流极小（通常小于1μA），有效避免对系统正常运行造成干扰；当瞬态电压超过其导通阈值时，器件电阻急剧下降，迅速将多余能量导入地线，实现电压钳位。这种自我恢复机制无需外部触发或复位操作，适合长期连续运行环境。
该器件采用多层陶瓷结构设计，不仅提升了机械强度和热稳定性，还显著增强了能量吸收密度。相比传统单层压敏电阻，多层结构允许更均匀的电场分布，减少局部热点形成，提高器件寿命和可靠性。此外，其小型化1210封装使其非常适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间极为敏感的产品。
V26MLA1210H具有出色的耐久性，能够承受多次重复性的ESD冲击（如IEC 61000-4-2 ±15kV空气放电），而性能衰减较小。其稳定的电气参数在宽温范围内保持一致，适用于恶劣工业与车载环境。器件还具备低寄生电感特性，有助于维持高速信号线路的完整性，在数据接口保护中表现优异。最后，该产品通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压、温度循环和耐焊接热测试，确保在自动化回流焊过程中不会受损，满足现代电子制造的高标准要求。
V26MLA1210H广泛用于各类需要过压和瞬态保护的电子系统中。常见应用包括便携式消费类电子产品中的USB端口、HDMI接口、音频插孔等高速数据线路的ESD防护，防止人体静电或连接器插拔引起的电压尖峰损坏主控芯片。在通信设备中，它可用于以太网端口、RS-485总线、CAN总线等工业通信接口的浪涌保护，抵御雷击感应或电源耦合带来的瞬态干扰。
在汽车电子领域，该器件适用于车载信息娱乐系统、传感器模块、ECU外围电路的电压箝位保护，尤其是在12V电源系统中对抗负载突降（Load Dump）或反向电池连接引发的电压异常。此外，工业控制板、PLC模块、电机驱动器中的电源轨和I/O端口也可使用V26MLA1210H进行多级保护设计，提升系统整体抗扰度。
由于其低电容特性（典型1000pF），该器件不会显著影响高频信号传输质量，因此也适用于射频前端模块、天线开关电路等对信号完整性要求较高的场合。同时，其SMT封装形式支持波峰焊和回流焊工艺，便于大规模自动化生产，广泛应用于智能家居设备、医疗监测仪器、无人机控制板等多种终端产品中，提供稳定可靠的被动式过压保护解决方案。
V27MLA1210H
V24MLA1210H
TVS2601-01SE
SLVU2.3-4
