V25S750P 时间：2025/12/26 22:02:42 阅读：8

V25S750P是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽场效应技术制造，能够在低导通电阻和高开关速度之间实现良好平衡，从而有效降低系统功耗并提升整体能效。V25S750P的封装形式为D2PAK（TO-263），具备良好的热性能和机械稳定性，适合在工业控制、汽车电子及消费类电子产品中使用。其设计注重可靠性，在高温和高负载条件下仍能保持稳定的电气特性。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并具有无卤素版本选项，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。器件内部结构优化以减少寄生电感和电容，有助于抑制开关过程中的电压尖峰与振荡，提高系统的EMI性能。V25S750P还具备较强的雪崩能量承受能力，增强了在异常工作条件下的鲁棒性，适用于需要频繁启停或存在感性负载的应用场合。

参数

型号：V25S750P
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：25V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：70A
　　脉冲漏极电流（Idm）：280A
　　最大功耗（Pd）：140W
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：7.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：10mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值2.1V，范围1.5V~2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值2800pF
　　输出电容（Coss）：典型值950pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值28ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值55nC
　　二极管正向电流（Is）：50A
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值55nC
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：D2PAK（TO-263）

特性

V25S750P采用Vishay专有的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为7.5mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景。这种低Rds(on)特性使得器件在电池供电系统或高密度电源设计中表现出色，能够有效减少发热并提升系统效率。
　　该器件具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达70A，脉冲电流更高达280A，使其能够在瞬态负载变化下稳定运行。同时，较低的栅极电荷（Qg=55nC）和输入电容有助于减小驱动电路的负担，加快开关速度，从而降低开关损耗，特别适合高频开关应用如同步整流和多相VRM设计。
　　V25S750P的封装采用D2PAK形式，具有较大的散热片，可通过PCB上的铜箔或外接散热器进行高效散热，确保长时间高负荷工作下的热稳定性。其内部设计还优化了热阻特性，典型结到外壳热阻（Rθjc）约为0.9°C/W，进一步提升了热管理能力。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和坚固的体二极管结构，可在感性负载关断过程中提供可靠的续流路径，并承受一定的反向能量冲击，增强了系统在恶劣工况下的可靠性。其快速的反向恢复时间（trr=28ns）也有助于减少体二极管在同步整流中的反向恢复损耗，避免交叉导通风险。
　　总体而言，V25S750P通过综合优化电气参数、热性能和封装设计，为高功率密度和高效率的现代电源系统提供了可靠的核心器件选择。

应用

V25S750P广泛应用于多种高效率功率转换系统中。在同步整流型DC-DC转换器中，由于其低导通电阻和快速开关特性，常被用作主开关或同步整流管，特别是在低压大电流输出的应用如CPU供电、GPU供电和FPGA电源模块中表现优异。其高电流处理能力使其成为多相降压变换器的理想选择，能够有效分担电流并降低温升。
　　在电动工具、无人机和便携式设备的电机驱动电路中，V25S750P可用于H桥或半桥拓扑结构中的开关元件，控制直流电机或步进电机的转向与调速。其快速响应能力和高耐流特性确保了电机启动和制动过程中的稳定运行。
　　此外，该器件也常见于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，作为主控开关使用。在这些应用中，低Rds(on)有助于减少电池内阻带来的额外压降，延长续航时间，并提高能量利用率。
　　在汽车电子领域，V25S750P可用于车载充电器、LED照明驱动和辅助电源单元。尽管它不是AEC-Q101认证器件，但在非安全关键的车载应用中仍可提供稳定的性能表现。
　　其他应用还包括服务器电源、电信整流模块、太阳能微逆变器以及各类工业电源系统。其D2PAK封装便于自动化贴装，适合大规模生产，且兼容通孔与表面贴装工艺，提高了设计灵活性。