时间：2025/12/28 20:18:46
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V25S140P 是一款由 Vishay 公司生产的表面贴装（SMD）功率 MOSFET，常用于高电流和高功率应用中。该器件采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高负载条件下保持较高的效率。V25S140P 是一种 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效能功率控制的场合，如 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理等。该器件的封装形式为 TO-252（也称为 D-PAK），适合自动化装配工艺，同时具备良好的热性能，有助于在高功率运行时有效散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大漏极电流（Id）：30A（连续）
最大导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（D-PAK）
功率耗散（Pd）：125W（最大）
V25S140P MOSFET 采用先进的沟槽式技术，使其具备极低的导通电阻，在大电流工作条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其 TO-252 封装提供了良好的热管理性能，有助于将热量快速传导至 PCB 板上，从而提高器件在高功率应用中的稳定性。该 MOSFET 的栅极设计允许使用标准逻辑电平驱动，适用于多种功率控制电路。
此外，V25S140P 具备出色的耐用性和可靠性，在高温和高电流环境下仍能保持稳定的性能。其宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 175°C) 使其适用于各种工业和汽车电子环境。该器件还具有较低的开关损耗，有助于提高高频开关电路的效率，适用于如同步整流、电机控制和负载开关等应用。
V25S140P 常用于多种高功率电子设备和系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、电源管理系统、电机驱动器、LED 照明控制系统、电池充电电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源设计中具有显著优势。
SiR140DP, IRF140PBF, FDP140N10, FDS4410
