时间：2025/5/10 17:11:26
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V24B12M200BL 是一款基于硅技术的高压 MOSFET 芯片，广泛应用于高功率开关电路、电机驱动和电源管理等场景。该芯片采用先进的制造工艺，在保证高效能的同时，也具有较低的导通电阻和较高的耐压性能，非常适合工业级和汽车级应用。
这款器件采用了 TO-247 封装形式，具备出色的散热性能，适用于高电流和高电压工作条件下的电路设计。
型号：V24B12M200BL
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：200A
导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ
功耗：300W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷(Qg)：200nC
V24B12M200BL 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（1200V），可适应各种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（6.5mΩ），能够显著降低导通损耗，提高效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 内置保护功能，如过流保护和热关断保护，提升系统可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛环境下稳定运行。
6. 高峰值脉冲能力，适合大电流冲击的应用需求。
7. 支持表面贴装和插件安装方式，便于不同类型的电路板设计。
V24B12M200BL 可应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 工业设备中的逆变器和变频器控制。
2. 电动汽车及混合动力汽车的动力系统和充电模块。
3. 高压直流-直流转换器和开关电源。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
5. 电机驱动和制动电路。
6. 不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)。
7. 高功率 LED 照明驱动电路。
V24B12M180BL, V24B12M220BL
