V221K0402X7R500NBT是一款高性能的钽电容器,属于K系列。它采用固体钽技术制造,具有低ESR(等效串联电阻)和高频率稳定性,广泛应用于各种电子设备中以提供稳定的滤波和去耦功能。
该型号设计用于需要高可靠性和稳定性的电路应用,例如通信设备、工业控制、医疗设备以及军事和航空航天领域。
容量:4.7μF
额定电压:35V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:表面贴装 (SMD)
尺寸:EIA 7343-31
ESR(最大值,100kHz):0.1Ω
耐浪涌能力:符合MIL-PRF-49471C标准
寿命:超过2000小时(+125°C条件下测试)
V221K0402X7R500NBT的主要特点包括:
1. 高可靠性:基于固体钽技术,能够承受恶劣的工作环境。
2. 稳定性:在宽温度范围内保持电容值的稳定性,适合极端条件下的应用。
3. 超低ESR:降低功耗并提高高频性能,适用于高速信号处理。
4. 小型化设计:采用紧凑的SMD封装,便于在空间受限的电路板上安装。
5. 长寿命:通过高温加速老化测试验证,确保长期使用中的稳定性。
6. 符合环保要求:无铅且符合RoHS标准,满足全球环保法规的要求。
这款钽电容器适用于以下场景:
1. 电源滤波:为电源电路提供高效的滤波功能,减少噪声干扰。
2. 去耦:在IC电源引脚处进行去耦,稳定电压供应。
3. 信号调节:用于音频和射频电路中的信号调节。
4. 军事和航空航天:由于其高可靠性,广泛用于关键任务系统中。
5. 工业自动化:在工业控制系统中提供稳定的滤波和去耦功能。
6. 医疗设备:如监护仪、超声波设备等,保障设备运行的精确性和安全性。
V221K0475X7R500NBT
V221K0475X7R150NBT
V221K0475X7R500GBT