时间：2025/7/12 7:52:28
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V220J0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适合于需要高频开关和高效能量转换的场景。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，封装形式通常为表面贴装类型，能够提供优异的热性能和电气性能。其设计注重降低功耗并提升系统的整体可靠性，是现代电子设备中不可或缺的关键元件。
型号：V220J0402C0G500NBT
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：200W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适用于开关电源和逆变器应用。
3. 强大的雪崩能力和鲁棒性，能够在恶劣条件下可靠运行。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间，同时具备良好的散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种工业和汽车环境需求。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流管。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率调节模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率处理单元。
V220J0402C0G400NBT
V220J0402C0G600NBT
IRF2807
FDP047N20DS
