类型：气体放电管（GDT）
　　封装形式：轴向引线陶瓷封装
　　直径：20mm
　　安装方式：通孔安装
　　直流击穿电压（VDC breakdown）：275V ±20%
　　标准测试电压范围：230V ~ 320V
　　最小击穿电压：230V
　　最大击穿电压：320V
　　工频耐受电压（1分钟）：600V RMS
　　脉冲电流耐受能力（8/20μs）：20kA（单次）
　　电容值：≤1pF
　　绝缘电阻：≥10^9 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　符合标准：IEC 61643-11, UL 497, ITU-T K.12/K.20/K.21

V20H275P气体放电管具备卓越的高压瞬态抑制能力，其核心优势在于能够在纳秒级时间内响应过电压事件，并通过低阻路径将浪涌电流安全泄放至大地，从而有效防止下游电子元件因过压而损坏。该器件采用全密封陶瓷-金属封装结构，确保内部电极与外界环境完全隔离，避免湿气、灰尘和其他污染物侵入导致性能退化或误动作。这种结构设计不仅提升了产品的长期稳定性，还显著延长了使用寿命，即使在频繁遭受雷击或开关瞬变的严苛环境中也能保持可靠工作。
　　该GDT的一个关键特性是其非常低的寄生电容（通常低于1pF），使其成为高频信号线路保护的理想选择。在诸如DSL、ISDN、电话交换机、基站天线接口等应用中，传统TVS二极管或压敏电阻可能因较高电容而引起信号反射或带宽损失，而V20H275P则几乎不影响信号完整性，可在不影响通信质量的前提下提供强力防雷保护。此外，由于其在正常工作电压下呈现极高阻抗（通常大于1GΩ），静态功耗几乎为零，不会增加系统负载或产生额外热损耗。
　　V20H275P还具备出色的耐流能力和能量处理能力，可承受高达20kA（8/20μs）的峰值浪涌电流，满足ITU-T K.20建议书中关于通信设备端口抗雷击要求。这一特性使其常被用作多级保护架构中的第一级粗保护器件，配合后续的TVS二极管或压敏电阻构成完整的浪涌抑制方案。当发生过电压时，GDT快速导通并将大部分能量引导至地，限制进入后级电路的能量水平，使二级保护器件能更有效地钳位残余电压，最终实现全面的系统级防护。
　　另一个重要特点是其自恢复功能。一旦过电压事件结束且流经GDT的电流降至维持电流以下，器件会自动恢复到高阻状态，无需人工干预或更换，极大提高了系统的可用性和维护便利性。同时，该器件无极性设计，支持交流和直流电路应用，适用范围广泛。

V20H275P广泛应用于各类需要高可靠性过电压保护的电子系统中，尤其常见于通信基础设施领域，如固定电话线路、DSL调制解调器、程控交换机、光纤接入设备等，用于防范雷电感应引起的高压冲击。在工业自动化系统中，该器件可用于PLC输入输出模块、远程I/O终端、RS-485通信总线的浪涌防护，提升系统在复杂电磁环境下的稳定性。此外，在电力监控系统、配电网自动化终端、智能电表集中器等户外部署设备中，V20H275P也常作为前端保护元件，抵御来自电网波动或附近雷击带来的瞬态干扰。
　　在安防系统中，例如闭路电视（CCTV）摄像机的电源与视频信号线路、门禁控制系统、周界报警装置等，该GDT可用于防止因接地电位差或雷击耦合导致的设备损坏。在无线通信基站中，射频馈线入口处常使用此类高耐流GDT进行初级防雷保护，保障收发单元的安全运行。新能源系统如光伏逆变器、风力发电控制柜的通信接口和控制线路同样可以采用V20H275P来增强系统的电磁兼容性和抗扰度。总之，任何存在雷击风险或电气噪声干扰的低压弱电系统，均可考虑使用V20H275P作为基础的过电压保护手段。

20H275M-AB-RPL08
　　TUB10G275T-RPL08
　　V20H275PA