时间：2025/5/7 17:03:57
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V20D202CHM3/I 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适合高效率和高频应用。
其封装形式为 TO-252（DPAK），能够提供良好的散热性能，并支持表面贴装技术（SMT），方便自动化生产。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：4.5nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
V20D202CHM3/I 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，使得它在高频应用中表现出色。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的可靠性和耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
5. 支持高密度组装，适用于小型化设计需求。
6. 良好的热稳定性和电气性能，保证了长期使用的可靠性。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 工业设备中的高频逆变和转换电路。
V20D202CHM3, V20D202CHM3-T1
