时间：2025/7/7 16:45:16
阅读：17
V200K0201C0G500NAT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率功率转换场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
型号：V200K0201C0G500NAT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200 V
最大栅源电压(Vgs)：±20 V
持续漏极电流(Id)：50 A
导通电阻(Rds(on))：4.5 mΩ (典型值，@ Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：300 W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
V200K0201C0G500NAT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度，能够适应高频应用需求，同时降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常工作条件下具有良好的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际规范要求。
5. 可靠的热性能设计，支持长时间稳定运行。
6. 封装坚固耐用，适合工业级和汽车级应用环境。
该器件适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 新能源领域如太阳能逆变器和电动车充电设备。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
V200K0201C0G500NAH, V200K0201C0G500NATR
