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V18MLE0805H 发布时间 时间:2025/12/26 22:52:22 查看 阅读:10

V18MLE0805H是一款由Vishay公司生产的多层压敏电阻(MLV),专为电子设备中的瞬态电压抑制和过压保护设计。该器件采用紧凑的表面贴装技术(SMT)封装,适用于需要高可靠性与小型化设计的应用场景。V18MLE0805H主要用于防护静电放电(ESD)、雷击感应、开关噪声以及其他可能对敏感电路造成损害的瞬态过电压事件。其结构基于先进的陶瓷工艺制造,具有优异的响应速度、能量吸收能力和长期稳定性,能够在恶劣电磁环境中维持系统正常运行。该压敏电阻广泛应用于便携式消费电子产品、通信模块、工业控制设备以及汽车电子等领域。得益于其低电容特性,V18MLE0805H特别适合用于高速数据线路的保护,如USB接口、HDMI端口、以太网连接器等,不会因寄生电容影响信号完整性。此外,该器件符合RoHS指令要求,支持无铅焊接工艺,在现代绿色电子制造中具备良好的兼容性。

参数

型号:V18MLE0805H
  制造商:Vishay
  器件类型:多层压敏电阻(MLV)
  封装尺寸:0805(2012公制)
  最大工作电压:18 VDC
  标称压敏电压(Vn):25 V ±10%
  钳位电压(典型值):40 V(在1A冲击电流下)
  峰值脉冲电流(8/20μs):30 A(单次)
  能量吸收能力(典型值):0.15 J
  电容值(典型值):60 pF @ 1 kHz, 1 VAC
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  引脚数:2
  安装方式:表面贴装(SMD/SMT)
  符合标准:AEC-Q200(车规级认证)
  环保属性:符合RoHS,无卤素

特性

V18MLE0805H具备卓越的瞬态电压抑制性能,能够在纳秒级时间内响应过压事件,有效防止ESD和电涌对下游电路的破坏。其核心材料采用氧化锌(ZnO)半导体陶瓷体系,通过精密共烧工艺形成非线性伏安特性,使得在正常工作电压下呈现高阻态,漏电流极小(通常低于1 μA),几乎不消耗系统功率;而当遭遇超过阈值的瞬态电压时,迅速转变为低阻态,将多余能量泄放到地,从而钳制电压在安全范围内。
  该器件的一个显著优势是其低电容特性(典型值60 pF),使其非常适合用于高速信号线路的保护,例如USB 2.0、CAN总线、I2C、SPI等数字通信接口,避免因高频信号反射或衰减导致的数据错误或通信中断。同时,它拥有出色的循环耐久性,可承受数千次额定级别的ESD冲击而不发生性能退化,确保产品在整个生命周期内的稳定可靠。
  V18MLE0805H通过了AEC-Q200车规级可靠性认证,表明其在高温、高湿、热循环、偏压老化等严苛测试条件下仍能保持一致性,适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块、车身控制单元等汽车电子应用。其0805小型化封装不仅节省PCB空间,还便于自动化贴片生产,提高组装效率和良率。此外,该器件具有良好的焊接可靠性,支持回流焊和波峰焊工艺,并具备较强的抗机械应力能力,适用于振动频繁或移动使用环境。

应用

V18MLE0805H广泛应用于各类需要瞬态过压保护的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机,用于保护充电接口、音频插孔和数据传输端口免受用户接触带来的静电损伤。在通信设备领域,可用于路由器、交换机、光模块中的高速数据线防护,提升系统的电磁兼容性(EMC)表现。
  在工业控制系统中,该器件常被部署于PLC输入输出模块、传感器接口、RS-485/CAN总线节点,抵御工厂环境中因电机启停、继电器切换引起的电感反电动势和电压尖峰。在汽车电子方面,由于其通过AEC-Q200认证,因此适用于车载导航、倒车雷达、摄像头模组、车内网络通信等子系统,保障车辆电子架构的安全运行。
  此外,V18MLE0805H还可用于医疗仪器、测试测量设备、智能家居控制器等对可靠性要求较高的场合,作为第一道防线抵御外部干扰引入的电气瞬变。其低电容和快速响应特性也使其成为高频模拟信号路径中理想的保护元件,例如射频前端模块或音频放大器输入端的防静电设计。

替代型号

V18E8P0805BA

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V18MLE0805H产品

V18MLE0805H参数

  • 产品培训模块Metal Oxide Varistors
  • 标准包装2,500
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 变阻器,MOV
  • 系列MLE
  • 变阻器电压28V
  • 电流 - 浪涌-
  • 电路数1
  • 最大交流电压-
  • 最大直流电压18VDC
  • 能量-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 其它名称F2189TRV18MLE0805