时间：2025/6/22 3:25:53
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V180K0201C0G500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效提升系统效率并降低能耗。
其封装形式和电气特性经过优化设计，适用于各种工业和消费类电子产品中的功率转换和控制场景。
型号：V180K0201C0G500NAT
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：200V
连续漏极电流(Id)：130A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：70nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
V180K0201C0G500NAT 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持优异性能。
4. 强大的浪涌电流处理能力，确保在极端条件下也能可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
6. 经过严格的质量测试，可靠性高，使用寿命长。
这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具、家电及工业设备中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
4. 汽车电子系统，如启动马达和负载切换。
5. 高压功率模块和固态继电器。
6. 各种需要高效功率控制的应用场景。
V180K0201C0G400NAT, IRFP260N, STP130N20F5
